高质量石墨烯的化学气相沉积制备工艺参数研究

• 作者: 何成慧 张智豪 李玉婷 白清顺 郭万民 郭永博
• 来源期刊: 炭素技术
• 学科: 工学
• 关键词: 石墨烯 化学气相沉积 晶体铜 生长条件
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 实验研究
• 页码范围: 31-34
• 页数: 4页
• 分类号: TQ127.1+1
• 语种: 中文
• DOI: 10.14078/j.cnki.1001-3741.2020.06.006

摘要

石墨烯的制备工艺参数和条件对其性能有直接影响,获得可靠有效的制备工艺条件对提升石墨烯的质量具有重要的意义.虽然,化学气相沉积(CVD)已经成为制备石墨烯的有效方法,然而采用化学气相沉积法制备石墨烯的工艺参数十分苛刻,受到生长温度、时间、气体流量等多种因素的影响.本文采用化学气相沉积方法,在晶体铜表面制备石墨烯薄膜.给出了高温低压条件下CVD法制备石墨烯工艺流程,分析了石墨烯生长过程中生长温度、生长时间、CH4流量和H2流量对石墨烯沉积质量的影响.在研究石墨烯沉积质量影响规律的基础上,确定了CVD法制备石墨烯薄膜的工艺条件,并成功地在晶体铜表面制备出高质量的石墨烯.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	白清顺		47	488	15.0	20.0
2	郭永博		14	48	5.0	6.0
3	张智豪		2	0	0.0	0.0
4	郭万民		1	0	0.0	0.0
5	何成慧		1	0	0.0	0.0
6	李玉婷		1	0	0.0	0.0