非金属元素掺杂二硒化钨/石墨烯异质结对其肖特基调控的理论研究

• 作者: 张显斌 曹佳萌 马浩浩 魏旭艳
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 异质结 二硒化钨 能带调控 第一性原理
• 年，卷（期）: 2020,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 291-301
• 页数: 11页
• 字数: 6688字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.69.20200080

摘要

采用平面波超软赝势方法研究了非金属元素掺杂对二硒化钨/石墨烯肖特基电子特性的影响.研究表明二硒化钨与石墨烯层间以范德瓦耳斯力结合形成稳定的结构.能带结果表明二硒化钨与石墨烯在稳定层间距下形成n型肖特基势垒.三维电子密度差分图表明石墨烯中的电子向二硒化钨移动,使二硒化钨表面带负电,石墨烯表面带正电,界面形成内建电场.分析表明,将非金属原子掺杂二硒化钨可以有效地调控二硒化钨/石墨烯肖特基势垒的类型和高度.C,O原子掺杂二硒化钨时,肖特基类型由p型转化为n型,并有效降低了肖特基势垒的高度;N,B原子掺杂二硒化钨时,掺杂二硒化钨体系表现出金属性,与石墨烯接触表现为欧姆接触.本文结果可为二维场效应晶体管的设计与制作提供相关指导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张显斌	西安理工大学理学院	29	407	10.0	19.0
2	马浩浩	西安理工大学理学院	1	0	0.0	0.0
3	魏旭艳	西安理工大学理学院	1	0	0.0	0.0
4	曹佳萌	西安理工大学理学院	1	0	0.0	0.0