3D NAND闪存数据保持力与初始状态依赖性研究

• 作者: 井冲 张明明 王颀 霍宗亮
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 数据保持力 初始状态 误码率 机理模型 3D NAND
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 314-320
• 页数: 7页
• 分类号: TP343
• 字数: 2446字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2020.02.014

摘要

数据保持力是NAND闪存重要的可靠性指标,本文基于用户在使用模式下,通过设计测试方法,研究了电荷捕获型3D NAND闪存初始阈值电压-2V至3V的范围内数据保持力特性.结果表明初始状态为编程态时,可以有效降低NAND闪存高温数据保留后的误码率,特别是随着擦写次数的增加,不同初始状态下电荷捕获型3D NAND闪存数据保持力差异更加明显,结论表明闪存最适宜存放的状态为0-1V,电荷捕获型3D NAND闪存器件应避免长期处于深擦除状态.并基于不同初始状态闪存高温数据保留后的数据保持力特性不同的现象进行了建模和演示,通过设计实验验证,机理解释模型符合实验结果.该研究可为电荷捕获型3D NAND闪存器件的长期存放状态提供理论参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张明明	中国科学院大学微电子学院	28	544	7.0	23.0
7	王颀	中国科学院大学微电子学院	4	0	0.0	0.0
16	霍宗亮	中国科学院大学微电子学院	10	8	2.0	2.0
28	井冲		1	0	0.0	0.0