蓝光GaN基Micro-LED芯片制备及激光剥离工艺研究

• 作者: 刘久澄 李志成 潘章旭 王仙翅 郭婵 龚岩芬 龚政
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: Micro-LED芯片 激光剥离 芯片转移 光电性能
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 211-216
• 页数: 6页
• 分类号: TN312.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2020.02.013

摘要

基于半导体制造工艺,制备了尺寸为50μm×80μm的蓝光氮化镓(GaN)基Micro-LED芯片.芯片的正向导通电压在2.55V左右;测试了10颗LED芯片在1 mA注入电流下的电压值,得到的最大值和最小值分别为3.24和3.12V,波动幅度在4％以内.在1 mA的测试电流下,测试芯片的EL光谱峰值波长和半高宽分别为453和14.4 nm,芯片的外量子效率可达12.38％,芯片发光均匀且亮度很大.测试结果表明,所制备的Micro-LED芯片具有优异的光电性能.此外,通过激光剥离技术,实现了Micro-LED芯片的转移.研究了激光剥离工艺对Micro-LED芯片光电性能的影响,发现在优化的工艺条件下,激光剥离对芯片的光电性能几乎无影响.这些结果有助于小间距微尺寸LED芯片阵列及显示技术的研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李志成	中南大学材料科学与工程学院	35	135	7.0	9.0
2	刘久澄		5	9	2.0	2.0
3	王仙翅	中南大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
4	潘章旭		1	0	0.0	0.0
5	郭婵		1	0	0.0	0.0
6	龚岩芬		1	0	0.0	0.0
7	龚政		1	0	0.0	0.0