美国采用新型键合技术改进氮化镓器件的散热性能

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 高电子迁移率晶体管 键合技术 单晶金刚石 HEMTS 散热性能 表面活化 真空环境 氮化镓器件
• 年，卷（期）: bdtxx,（2）
• 页码范围: 12-13
• 页数: 2页
• 分类号: TN3

摘要

据佐治亚里工学院网站3月16日报道,在美国海军研究办公室(ONR)的资助下,佐治亚理工学院采用一种表面活化键合方法,成功在室温下将氮化镓(GaN)与金刚石集成在一起。研究人员首先在高真空环境中使用离子源清洁氮化镓和金刚石的表面,然后通过形成悬空键来活化表面。在离子束中加入少量硅,有助于在室温下形成牢固的原子键,使氮化镓和单晶金刚石直接结合,从而制造出高电子迁移率晶体管(HEMTs)。