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摘要:
在数值计算软件ANSYS热分析环境里采用有限单元法(FEM)建立温度分布计算模型,该模型考虑键合引线的热传导、芯片表面的热辐射和与空气自然对流所散失的热量,得到模块瞬态温度分布和热流密度云图,利用红外热成像仪探测IGBT模块芯片表面瞬态温度分布云图并分析了温升特征,探测结果表明芯片表面高温区域为容易引起器件失效结构部位的热结合处,并就探测结果提出提高IGBT应用可靠性的方法,最后采用所建分布计算模型预测不同工作条件下芯片的温升和稳态热阻.
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文献信息
篇名 IGBT温度分布计算模型
来源期刊 船电技术 学科 工学
关键词 绝缘栅双极型晶体管 温度分布 有限单元法 结温 红外热成像
年,卷(期) 2020,(5) 所属期刊栏目 应用研究
研究方向 页码范围 1-5
页数 5页 分类号 TN322.8
字数 2806字 语种 中文
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研究主题发展历程
节点文献
绝缘栅双极型晶体管
温度分布
有限单元法
结温
红外热成像
研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
船电技术
月刊
1003-4862
42-1267/U
大16开
武汉市64311信箱25分箱
1981
chi
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