突破 这家公司开发出了低位错密度的高阻GaN(氮化镓)材料

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 射频器件 光电子器件 氮化镓 晶体质量 功率器件 GaN 图形衬底 蓝宝石衬底
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 页码范围: 14-15
• 页数: 2页
• 分类号: TN3

摘要

近日上海芯元基半导体科技有限公司(以下简称"芯元基")宣布,基于其独创的DPSS衬底技术(蓝宝石复合图形衬底),该公司开发出了低位错密度的高阻GaN(氮化镓)材料,可用于电子功率器件和微波射频器件等的制备。芯元基开发的GaN外延晶体质量已经高于蓝宝石衬底的GaN晶体质量,同时结合该公司独有的化学剥离技术可以完美地解决蓝宝石衬底的散热问题,为高端光电子器件、电子功率器件和微波射频器件等提供了一个新的方向。