Si/Mg/Fe掺杂β-Ga2O3单晶拉曼光谱表征及分析

• 作者: 刘卫丹 张胜男 张颖 王健 程红娟 练小正
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: β-Ga2O3单晶 拉曼光谱 电学性能 非故意掺杂 Si/Mg/Fe掺杂
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 158-162
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.21
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.02.011

摘要

β-Ga2O3单晶材料由于其优异的性能得到了广泛关注,但是对于其掺杂、能级、电学性能等方面的研究仍然比较欠缺.采用导模法分别制备了非故意掺杂β-Ga2O3单晶和Si/Mg/Fe掺杂的β-Ga2O3单晶,对样品进行了拉曼光谱测试和电学性能测试,研究不同掺杂元素对拉曼光谱的影响.对β-Ga2O3单晶的声子谱进行计算,并通过拉曼光谱测试进行了验证,对掺杂元素的取代位置进行了分析.结果 表明,掺杂元素会对拉曼峰强度产生显著影响,Si、Mg、Fe均倾向于取代GaⅡO6八面体中心的GaⅡ原子.根据电学性能测试结果,Si掺杂会使β-Ga2O3单晶呈n型导电,Mg或Fe掺杂会使β-Ga2O3单晶呈半绝缘态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程红娟	中国电子科技集团公司第四十六研究所	44	47	4.0	5.0
2	王健	中国电子科技集团公司第四十六研究所	38	82	6.0	7.0
3	练小正	中国电子科技集团公司第四十六研究所	10	9	1.0	2.0
4	张颖	中国电子科技集团公司第四十六研究所	11	7	2.0	2.0
5	张胜男	中国电子科技集团公司第四十六研究所	6	5	1.0	1.0
6	刘卫丹	中国电子科技集团公司第四十六研究所	2	1	1.0	1.0