亚阈电流对MOS栅控晶闸管dV/dt抗性的影响

• 作者: 刘超 周琪钧 田冕 陈万军
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 脉冲功率系统 MOS栅控晶闸管 dV/dt 亚阈电流
• 年，卷（期）: 2020,（8）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 47-51
• 页数: 5页
• 分类号: TN306
• 字数: 2452字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0808

摘要

针对MOS栅控晶闸管(MCT)在电容储能型脉冲功率系统中,面临高电压变化率(dV/dt)而导致的误开启现象,首次通过实验和仿真研究了亚阈电流对MOS栅控晶闸管dV/dt抗性的影响,分析了亚阈电流对器件dV/dt抗性的影响机制.研究结果表明,亚阈电流的参与是引起器件dV/dt抗性降低的重要原因,这为提高器件dV/dt抗性设计提供了理论指导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈万军	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	18	128	4.0	11.0
2	刘超	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	14	59	4.0	7.0
3	田冕	陆军装备部驻重庆地区军事代表局驻成都地区第二军事代表室	2	0	0.0	0.0
4	周琪钧	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	0	0.0	0.0