铁磁金属/绝缘体/铁磁半导体/普通金属 (FM/I/FS/NM)磁性隧道结中的隧穿磁电阻效应

• 作者: 曾柏魁 李双伶 谢征微
• 来源期刊: 四川师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁性隧道结 铁磁半导体 隧穿磁电阻 Rashba自旋轨道耦合
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 基础理论
• 页码范围: 230-235
• 页数: 6页
• 分类号: O441
• 字数: 2766字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8395.2020.02.009

摘要

在已有的单自旋过滤磁性隧道结铁磁金属/绝缘体/铁磁绝缘体/普通金属(FM/I/FI/NM)研究的基础上,将其中的铁磁绝缘层(FI)换为铁磁半导体层(FS),研究了铁磁金属/绝缘体/铁磁半导体/普通金属(FM/I/FS/NM)磁性隧道结中的隧穿磁电阻(TMR)现象.结果表明:由于FS层中的自旋过滤效应和Rashba自旋轨道耦合的影响,FM/I/FS/NM结可以在FS层厚度较大的情况下获得非常大的TMR值,从而避免已有的FM/I/FI/NM单自旋过滤结(FI表示铁磁绝缘层)中TMR随FI层厚度增加而下降所导致FI层不能做的太厚带来的制备上的困难.同时,计算结果还显示,FM/I/FS/NM结的TMR随铁磁半导体层FS的厚度,FS层中的Rashba自旋轨道耦合强度和分子场的变化呈振荡变化,随绝缘层I厚度的增加呈饱和趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢征微	四川师范大学物理与电子工程学院	28	38	4.0	4.0
2	李双伶	四川师范大学物理与电子工程学院	1	0	0.0	0.0
3	曾柏魁	四川师范大学物理与电子工程学院	2	0	0.0	0.0