栅介质对随机掺杂波动引起MOSFET性能变化的影响

• 作者: 司鹏 吕伟锋 姚丰雪 章凯
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 随机掺杂波动(RDF) 纳米MOSFET 等效栅介质 模拟/射频性能 蒙特卡罗分析
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 145-149
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.02.009

摘要

根据纳米MOSFET的紧凑模型,采用HSPICE的蒙特卡罗分析方法,研究随机掺杂波动(RDF)引起的纳米MOSFET模拟/射频性能包括栅极电容、截止频率、跨导和输出电导等参数的变化标准差,同时通过改变栅介质的介电常数(ε)和等效氧化层厚度(dox),观测其对RDF引起的模拟/射频性能变化的影响.结果 显示,RDF引起的MOSFET模拟/射频性能参数变化表现出不同的特征,而在适当选择较高的ε和dox情况下,RDF引起的模拟/射频性能参数变化标准差有一定程度的减小(绝对标准偏差整体降低到接近0,相对标准偏差整体最大降低10％),为通过改变等效栅介质抑制RDF的影响提供了实验依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕伟锋	杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室	25	71	5.0	7.0
2	司鹏	杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室	1	0	0.0	0.0
3	姚丰雪	杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	章凯	杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室	1	0	0.0	0.0