碳化硅基直流固态断路器短路保护方法

• 作者: 张英 杨跃茹 秦海鸿 莫玉斌 赵朝会
• 来源期刊: 南京航空航天大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 直流固态断路器 短路能力 短路保护
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 页码范围: 207-214
• 页数: 8页
• 分类号: TM386
• 字数: 6513字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16356/j.1005-2615.2020.02.005

摘要

碳化硅器件比硅器件具有更低的导通电阻,用其制作直流固态断路器可以大大降低其通态损耗,减轻散热压力.然而相比于硅器件,由于碳化硅器件管芯面积小,电流密度大,其短路能力相对较弱,短路保护要求更高.为确保碳化硅器件安全可靠工作,提高碳化硅基直流固态断路器的可靠性,对比分析了硅基与碳化硅基MOSFET的短路能力,揭示了其器件恶化机理,研究了栅源极电压箝位方法,并结合去饱和检测,提出了一种基于源极寄生电感的"软关断"短路保护方法,制作了直流固态断路器样机进行实验验证.实验结果表明,所提方法可以降低功率器件的关断电压应力、抑制短路电流,适合碳化硅基直流固态断路器短路保护.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵朝会	上海电机学院电气学院	63	432	12.0	18.0
2	秦海鸿	南京航空航天大学自动化学院	99	729	14.0	23.0
3	莫玉斌	南京航空航天大学自动化学院	2	0	0.0	0.0
4	张英	南京航空航天大学自动化学院	6	17	2.0	4.0
5	杨跃茹	南京航空航天大学自动化学院	1	0	0.0	0.0