气相捕获腔对石墨烯低压化学气相沉积形核生长的影响

• 作者: 史永贵 桑昭君 王允威 赵高扬
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 化学
• 关键词: 石墨烯 低压化学气相沉积 气相捕获腔 铜箔 形核 生长
• 年，卷（期）: 2020,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 439-445
• 页数: 7页
• 分类号: TB383|O613.71
• 字数: 4154字
• 语种: 中文

摘要

基于石墨烯低压化学气相沉积技术,通过调控甲烷流量对比研究了传统生长腔和气相捕获腔中石墨烯在铜箔衬底上的形核生长特点.结果 表明,与传统生长腔相比,气相捕获腔能够将石墨烯的形核密度降低3个数量级,并促使石墨烯晶核快速长大.同时,气相捕获腔能够为石墨烯提供一个稳定的生长环境,有利于制备晶格完美的石墨烯晶畴,并为石墨烯晶畴的融合提供更多的有效活性碳原子,加速石墨烯晶畴之间的融合,提高石墨烯薄膜的质量.在此基础上分析了气相捕获腔对石墨烯低压化学气相沉积形核生长的影响机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵高扬	西安理工大学材料科学与工程学院	72	349	10.0	14.0
2	王允威	西安理工大学材料科学与工程学院	18	23	3.0	4.0
6	史永贵	西安理工大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
7	桑昭君	西安理工大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0