押注碳化硅和氮化镓材料发展IEEE发布宽带隙半导体技术路线图

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 宽带隙半导体 功率半导体 半导体技术 半导体材料 技术路线图 电力电子学 IEEE 能量差
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 页码范围: 20-21
• 页数: 2页
• 分类号: TN9

摘要

近日,为了促进宽带隙(WBG)半导体技术的发展,IEEE电力电子学会(PELS)发布了宽带隙功率半导体(ITRW)的国际技术路线图。该路线图确定了宽带隙技术发展的关键趋势、设计挑战、潜在应用领域和未来应用预测。什么是宽带隙半导体宽带隙半导体指的是在室温下带隙大于2.0eV的半导体材料,如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。这类材料的带隙(绝缘态和导电态之间的能量差)明显大于硅。