宽禁带器件应用技术专辑主编评述

• 作者: 宁圃奇
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: 宽禁带 碳化硅(SiC) 氮化镓(GaN) 主编述评
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 宽禁带器件应用技术专题
• 页码范围: 1-3
• 页数: 3页
• 分类号: TM56
• 字数: 2358字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2020.4.1

摘要

近20年来,以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体功率器件具有电气性能和热性能等方面的优势,正在成为硅器件的强力替代品.业界成功研制出SiC MOSFET、GaN HEMT等先进器件,已在能源汽车、轨道交通、能源互联等行业展示出高开关能力和高温能力.基于功率器件设计、封装、实验方法、栅极驱动等方面的最新研究进展,《电源学报》特别推出"宽禁带器件应用技术"专辑,以期推进宽禁带器件前沿技术与应用难点和热点问题的探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宁圃奇	中国科学院电工研究所	46	1	1.0	1.0