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摘要:
The grain boundaries of graphene are disordered topological defects, which would strongly affect the physical andchemical properties of graphene. In this paper, the spectral characteristics and photoresponse of MoS2/graphene het-erostructures are studied. It is found that the blueshift of the G and 2D peaks of graphene in Raman spectrum is due to doping. The lattice mismatch at the graphene boundaries results in a blueshift of MoS2 features in the photoluminescence spectra, comparing to the MoS2 grown on SiO2. In addition, the photocurrent signal in MoS2/hexagonal single-crystal graphene heterostructures is successfully captured without bias, but not in MoS2/polycrystalline graphene heterostructures. The electron scattering at graphene grain boundaries affects the optical response of MoS2/graphene heterostructures. The photoresponse of the device is attributed to the optical absorption and response of MoS2 and the high carrier mobility of graphene. These findings offer a new approach to develop optoelectronic devices based on two-dimensional material heterostructures.
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文献信息
篇名 Effect of graphene grain boundaries on MoS2/graphene heterostructures
来源期刊 中国物理B(英文版) 学科
关键词 photoresponse heterostructures grain-boundary
年,卷(期) 2020,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 49-54
页数 6页 分类号
字数 语种 英文
DOI 10.1088/1674-1056/ab8a37
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photoresponse
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grain-boundary
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期刊影响力
中国物理B(英文版)
月刊
1674-1056
11-5639/O4
北京市中关村中国科学院物理研究所内
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出版文献量(篇)
17050
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