采用SiC MOSFET与Si MOSFET的双有源桥效率仿真分析对比

• 作者: 刘昌赫 王学远
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: 双有源桥 仿真分析 Si CMOSFET
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: DC-DC变换器
• 页码范围: 109-115
• 页数: 7页
• 分类号: TM912
• 字数: 3917字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2020.4.109

摘要

通过搭建单管效率仿真模型,从功率损耗角度分析SiC MOSFET相较Si MOSFET的优势.此后结合Ansoft Maxwell有限元分析,建立了适用于给定工况下效率仿真的变压器等效模型.基于双有源桥双向DC-DC拓扑进行效率仿真,对比不同开关频率相同输入输出工况下全负载范围内二者效率差别,总结SiC MOSFET优势所在与适用工况范围.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王学远	同济大学新能源汽车工程中心	9	13	2.0	3.0
2	刘昌赫	同济大学新能源汽车工程中心	2	0	0.0	0.0