基于失效分析的功率MOSFET应用可靠性研究

• 作者: 唐万军 张世莉
• 来源期刊: 环境技术
• 学科: 工学
• 关键词: 失效分析 MOSFET 可靠性
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 环境适应性和可靠性
• 页码范围: 57-59,80
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 2191字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-7204.2020.01.014

摘要

功率MOSFET因良好的压控开关特性和低导通阻抗特点,在功率电子电路中应用广泛.该类器件对装配工艺及设计应用有较高要求,本文在对几例功率MOSFET器件失效进行分析的基础上,总结了影响器件应用可靠性的因素,给出了相应的控制措施.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张世莉	中国电子科技集团公司第二十四研究所	11	49	3.0	7.0
2	唐万军	中国电子科技集团公司第二十四研究所	17	102	6.0	10.0