SiC单晶体放射状裂纹缺陷研究

• 作者: 孙科伟 孟大磊 张政 张皓 窦瑛 郭森 陈建丽
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅(SiC) 物理气相传输(PVT) 放射状裂纹 晶体生长模型 微管
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 479-483
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.24
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.06.012

摘要

在采用物理气相传输(PVT)法生长碳化硅(SiC)单晶的过程中,放射状裂纹是常见的缺陷.使用微分干涉显微镜对SiC单晶体和晶体抛光片表面形貌进行观测,结合晶体突变光滑面生长模型,对PVT法生长的SiC单晶放射状裂纹缺陷的形成机理进行了研究,并提出了消除或抑制放射状裂纹缺陷产生的方法.研究结果表明,放射状裂纹的出现与PVT生长过程中晶体微管密度紧密相关.在晶体生长初期,晶体生长平台平铺至尺寸较大的微管后形成微裂纹,这些微裂纹会随着晶体生长中的应力释放而沿晶体径向增殖、汇聚,最终与径向上的其他微裂纹连接成宏观放射状裂纹.通过提高SiC籽晶质量(低微管密度)、优化生长工艺参数可有效抑制放射状裂纹的产生.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈建丽	中国电子科技集团公司第四十六研究所	5	8	1.0	2.0
2	孙科伟	中国电子科技集团公司第四十六研究所	7	2	1.0	1.0
3	孟大磊	中国电子科技集团公司第四十六研究所	10	9	1.0	2.0
4	张政	中国电子科技集团公司第四十六研究所	4	0	0.0	0.0
5	窦瑛	中国电子科技集团公司第四十六研究所	4	0	0.0	0.0
6	张皓	中国电子科技集团公司第四十六研究所	2	0	0.0	0.0
7	郭森	中国电子科技集团公司第四十六研究所	1	0	0.0	0.0