无压低温烧结纳米银封装电力电子器件的进展与思考

• 作者: 冯志红 梁陪阶 梅云辉 闫海东
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米银焊膏 无压低温银烧结技术 双面冷却 SiC器件 可靠性
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 宽禁带器件应用技术专题
• 页码范围: 15-23
• 页数: 9页
• 分类号: TM921.05
• 字数: 4349字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2020.4.15

摘要

无压低温银烧结技术是高功率密度SiC器件的无铅化关键互连技术,对SiC功率模块的可靠性提升具有重要的意义.针对典型Si基功率模块封装连接工艺及其可靠性,阐述了当前无压低温纳米银烧封装技术的进展与思考:(1)讨论了电力电子器件封装连接可靠性的典型风险和原因;(2)介绍了无压低温连接技术的最新发展;(3)基于Si基典型功率模块封装向高可靠SiC功率模块转变过程中在封装结构和材料方面的需求,阐述了无压低温银烧结技术在引线型、平面型和双面冷却功率模块封装方面的进展;(4)提出无压低温银烧结技术当前有待解决的技术难题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯志红	河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室	6	13	3.0	3.0
2	梅云辉	天津大学材料科学与工程学院	9	29	4.0	5.0
3	闫海东	桂林电子科技大学机电工程学院	1	0	0.0	0.0
7	梁陪阶	桂林电子科技大学机电工程学院	1	0	0.0	0.0