不规则H形量子势垒增强AlGaN基深紫外发光二极管性能

• 作者: M SADDIQUE A K 代广珍 吕琛 王永忠 王莉 裴瑞平 许福军 郎婧 郎艺 鲁麟
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN 深紫外发光二极管 量子势垒
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 714-718
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.23
• 字数: 2739字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20204106.0714

摘要

针对AlGaN基多量子阱中有效的平衡载流子注入问题,研究了有源区势垒层中Al组分调制形成的非规则H形量子势垒对AlGaN基深紫外发光二极管(LED)器件性能的影响及载流子的输运行为.研究发现,与多量子阱中常用的单Al组分势垒相比,加入Al组分较高的双尖峰势垒可以有效地提高内量子效率和光输出功率.进一步研究表明,电子在有源区因凸起的尖峰势垒而得到了有效的阻挡,减少了电子的泄露,而空穴获得更多的动能从而穿过较高的势垒进入有源区.因此,采用非对称H形量子势垒的深紫外LED器件中载流子输运实现了较好的平衡,量子阱中的载流子复合速率远高于普通的深紫外发光二极管.