ArF准分子激光单脉冲能量暗场噪声相消探测方法

• 作者: 杨磊 曹益平
• 来源期刊: 光学与光电技术
• 学科: 工学
• 关键词: ArF激光 光刻 能量探测 暗场噪声 单脉冲
• 年，卷（期）: 2020,（3）
• 所属期刊栏目: 激光技术及应用
• 页码范围: 17-22
• 页数: 6页
• 分类号: TN247
• 语种: 中文

摘要

193 nm ArF准分子激光光刻技术作为当前主流的光刻技术,可实现特征尺寸小于等于90 nm的集成电路制作工艺.光场均匀性及脉冲能量的准确性是实现高质量光刻的重要指标,提出了基于暗场噪声相消提高单脉冲能量测量精度的方法,通过对探测头获取的激光脉冲能量数据和暗场下探测头的脉冲能量数据进行暗场相消,获得真实激光能量.设计了暗场噪声相消控制电路,通过同步控制时序,有效去掉能量脉冲积分信号结果中所携带的噪声积分部分,从而实现对脉冲激光能量测量精度的提高.