CMOS图像传感器单粒子效应及加固技术研究进展

• 作者: 文林 李豫东 蔡毓龙 郭旗
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS图像传感器 单粒子效应 抗辐射加固技术 空间辐射
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 核物理、交叉学科研究
• 页码范围: 48-56
• 页数: 9页
• 分类号: TN386
• 字数: 4748字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11889/j.0253-3219.2020.hjs.43.010502

摘要

互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)图像传感器(CMOS Image Sensor,CIS)在空间应用时会受到单个粒子辐照影响,这通常会导致CIS采集图像出现异常,严重时会导致器件功能失效.本文从不同粒子的角度:重离子、质子、电子和中子,从CIS容易发生的单粒子效应类型:单粒子瞬态(Single Event Transient,SET)、单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)、单粒子闩锁(Single Event Latchup,SEL)、单粒子功能中断(Single Event Functional Interrupt,SEFI)等方面综述了CIS单粒子效应研究进展.简要介绍了CIS单粒子效应加固技术研究进展.分析总结了目前CIS单粒子效应及加固技术中亟待解决的问题,为今后深入开展相关研究提供理论参考.