高增益GaN基PIN雪崩二极管的制备及p-GaN层载流子浓度的估算

• 作者: 刘宗顺 曹子坤 朱建军 江德生 赵德刚 陈平
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 雪崩探测器 泊松方程
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 707-713
• 页数: 7页
• 分类号: TN36
• 字数: 1566字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20204106.0707

摘要

介绍了GaN基pin雪崩探测器的制作过程和测试结果.制作的器件在71 V反向偏压下发生雪崩,倍增因子达到5×104.我们发现,p层载流子浓度是影响器件性能的重要参数.结合电场强度分布的分析,本文提出了一种估算p层载流子浓度的方法,进一步计算得到刚好雪崩击穿时的最大电场值为2.6 MV/cm,与以往GaN雪崩器件所报道的研究结果相似.最后,霍尔测试和SIMS测量p层载流子浓度的结果与模型计算的估算值吻合.