基于桥式MOSFET的高压脉冲源研究

• 作者: 练文 王寿增
• 来源期刊: 光学与光电技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高压 脉冲源 桥式MOSFET 同步触发 Royer振荡电路
• 年，卷（期）: 2020,（3）
• 所属期刊栏目: 激光技术及应用
• 页码范围: 23-27
• 页数: 5页
• 分类号: TN248
• 语种: 中文

摘要

采用脉冲变压器隔离驱动桥式MOSFET电路,获得了幅度约5 000 V,上升时间48 ns的高压脉冲,只需控制Royer振荡电路电源电压就可以改变输出高压幅度,且输出高压是Royer振荡电路输出高压的四倍,大幅降低了器件的耐压值,减小了器件尺寸和功耗.输出高压与输入和控制电路电气隔离,减小了对其他电路的电气干扰,可广泛应用于激光、探地雷达、高速相机、电磁脉冲研究、加速器和高能物理等领域.