GaN基梯度掺杂超结电流孔径垂直电子晶体管结构设计

• 作者: 周科宏 李金鹏 黄义
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电场分布 超结 梯度掺杂 击穿电压 导通电阻
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 449-453,465
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.06.007

摘要

设计了GaN基具有超结结构的电流孔径垂直电子晶体管(SJ CAVET)和具有梯度掺杂超结结构的电流孔径垂直电子晶体管(GD-SJ CAVET).采用Silvaco TCAD软件对两种器件的电学特性进行了仿真.与SJ CAVET相比,GD-SJ CAVET在导通时具有更大的电流密度和更宽的电流路径,并得到分布更均匀的电场,因此器件的击穿特性和导通特性均得到了较大改善.相比SJ CAVET,当GD-SJ CAVET梯度掺杂区域数量为3、n柱顶部区域的掺杂浓度为0.5×1016 cm-3时,器件的比导通电阻降低了27.3％,击穿电压提升了27.7％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄义	重庆邮电大学光电工程学院	3	1	1.0	1.0
2	李金鹏	重庆邮电大学光电工程学院	1	0	0.0	0.0
3	周科宏	重庆邮电大学光电工程学院	1	0	0.0	0.0