Mg-N阴阳离子共掺杂SnO2的第一性原理研究

• 作者: 何海英 冯秋浴 杨至灏 陈宇
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SnO2 Mg-N共掺杂 第一性原理 电子结构
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 234-238
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2449字
• 语种: 中文

摘要

基于密度泛函理论,利用第一性原理计算Mg-N阴阳离子双受主共掺杂SnO2的电子结构、电荷密度分布和缺陷形成能.Mg、N分别取代SnO2晶体中的Sn和O,掺杂浓度分别为4.17at％、2.08at％,Mg-N键之间的共价性明显高于Sn-O键,富氧条件下,Mg-N共掺杂的缺陷形成能为2.67 eV,有利于进行有效的受主替代掺杂.Mg单受主掺杂SnO2时,增加了带隙宽度,费米能级进入价带,Mg-N共掺杂SnO2时,带隙窄化,表现出明显的p型导电类型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何海英	佛山科学技术学院材料科学与能源工程学院	4	5	2.0	2.0
5	冯秋浴	佛山科学技术学院材料科学与能源工程学院	1	0	0.0	0.0
6	陈宇	佛山科学技术学院材料科学与能源工程学院	1	0	0.0	0.0
7	杨至灏	佛山科学技术学院材料科学与能源工程学院	1	0	0.0	0.0