考虑背栅偏置的FOI FinFET电流模型

• 作者: 刘凡宇 张峰源 张旭 张青竹 李博 李彬鸿 罗家俊 韩郑生
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上鳍(FOI) 鳍式场效应晶体管(FinFET) 电流模型 背栅偏置 耦合效应 耦合系数
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 438-443
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.06.005

摘要

建立了绝缘体上鳍(FOI)鳍式场效应晶体管(FinFET)的电流模型,通过推导出背栅对前栅的耦合系数,使电流模型可以预测背栅电压对沟道电流的影响.该模型可以较为精准地预测实验数据和TCAD仿真结果,并且对于FOI FinFET的鳍宽和侧壁倾斜角等几何参数有较宽的适用范围.通过提取耦合系数,证明了背栅对前栅的耦合效应将随着鳍宽和侧壁倾角的增大而增强,而鳍底部的夹角对沟道的影响可以忽略.所提出的模型可以用于建立BSIM模型,指导设计者优化器件性能,以及进行背栅偏置的低功耗集成电路设计.