探究吸附装置安装位置对多晶硅除硼磷的影响

• 作者: 付强 孙强 张晓伟 时庆合 王芳 贺玉刚
• 来源期刊: 无机盐工业
• 关键词: 多晶硅 氯硅烷 硼、磷杂质 吸附 稳定性
• 年，卷（期）: 2020,（3）
• 所属期刊栏目: 工业技术
• 页码范围: 72-74
• 页数: 3页
• 分类号: TQ127.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.11962/1006-4990.2019-0249

摘要

多晶硅生产中最难去除的杂质是硼、磷.为提高吸附装置对硼、磷杂质的吸附效果,降低多晶硅原料氯硅烷中的杂质含量,提升多晶硅的品质,对吸附装置在提纯系统中安装位置的合理性进行了分析研究.对提纯系统中部分物料输送管道进行改造,使不同组分的物料进入相同结构的吸附装置进行吸附.调试吸附装置处于最佳工作状态后,对吸附后物料中硼、磷杂质含量的总和、吸附率以及吸附装置反冲洗频率进行对比分析.实验结果表明,当吸附装置安装在回收塔产品进入精馏塔的中间管道处时,吸附装置对硼、磷杂质的吸附效果最佳,且系统运行稳定.吸附装置在提纯系统中最佳安装位置的确定,提高了吸附装置对硼、磷杂质的吸附效果以及系统运行的稳定性,为多晶硅品质的提升奠定了基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙强		6	0	0.0	0.0
2	张晓伟		6	0	0.0	0.0
3	王芳		4	0	0.0	0.0
4	付强		3	0	0.0	0.0
5	贺玉刚		2	0	0.0	0.0
6	时庆合		2	0	0.0	0.0