Co元素掺杂CrSi2的第一性原理计算

• 作者: 何安娜 冯磊 周士芸 秦铭哲 肖清泉
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 CrSi2 掺杂 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 229-233,258
• 页数: 6页
• 分类号: O562
• 字数: 3024字
• 语种: 中文

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对Co掺杂CrSi2的几何结构、电子结构和光学性质进行了计算与分析.结果表明,掺杂后的CrSi2晶格常数无明显变化,禁带宽度增大.由于Co元素3d电子的影响,在费米能级附近出现了杂质能级.掺杂后的CrSi2复介电函数虚部在低能方向发生红移,在小于1.20 eV,大于2.41 eV的能量范围内光跃迁强度增强.吸收系数的主峰向高能方向移动,峰值增大,在小于1.38 eV,大于3.30 eV的能量范围改善了CrSi2对红外光子的吸收.光电导率的主峰向高能方向移动,在小于1.16 eV,大于2.36 eV的能量范围内光电导率增强,说明掺杂Co元素后改善了CrSi2特别是红外光区的光电性质,计算结果为CrSi2光电器件的研究制造提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周士芸	贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所	4	14	1.0	3.0
2	肖清泉	贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所	40	199	7.0	13.0
3	冯磊	贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所	6	1	1.0	1.0
4	何安娜	贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所	2	1	1.0	1.0
5	秦铭哲	贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所	2	1	1.0	1.0