一种改进的SRAM随机故障注入技术

• 作者: 仲伟宏 周正 王子轩 王荧 蔡志匡
• 来源期刊: 南京邮电大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: SRAM 随机故障注入 阻抗性开路故障 故障覆盖率
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 通信与电子
• 页码范围: 31-36
• 页数: 6页
• 分类号: TN919.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.14132/j.cnki.1673-5439.2020.04.005

摘要

针对传统静态随机存储器缺乏有效的故障注入这一技术问题,文中提出了一种基于阻抗性开路故障的随机故障注入技术.该技术针对阻抗性开路故障的故障机理特点以及其故障表现形式,使用Perl语言提取故障节点,在电路中随机选取多个节点并注入阻值随机电阻,使存储单元电路随机产生阻抗性开路故障.文中首先通过HSIM仿真验证了随机故障注入技术的随机性以及有效性,并基于该方法通过HSIM+ VCS混合仿真平台得到March C算法对阻抗性开路缺陷的故障覆盖率为87.8％.