CMOS图像传感器抗电离辐射加固技术研究

• 作者: 刘戈扬 刘昌举 吕玉冰 吴琼瑶 周亚军 李明
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS图像传感器 抗电离辐射加固 总剂量效应 单粒子
• 年，卷（期）: 2020,（3）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 331-335
• 页数: 5页
• 分类号: TP212
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2020.03.007

摘要

太空环境中的电离辐射会导致CMOS图像传感器性能退化,甚至造成永久性损毁.文章对CMOS图像传感器抗电离辐射加固技术进行了研究,从版图设计、电路设计等方面提出相应的抗辐射策略,并进行了总剂量和单粒子试验.试验结果表明,采用抗辐射加固技术设计制作的CMOS图像传感器具备抗总剂量和单粒子辐射能力,当总剂量达到100 krad(Si)、单粒子辐射总注量达到1×107 p/cm2时,器件的关键指标变化符合预期要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴琼瑶		7	21	1.0	4.0
2	刘昌举		26	77	5.0	6.0
3	李明		9	22	3.0	4.0
4	刘戈扬		5	13	3.0	3.0
5	吕玉冰		10	8	2.0	2.0
6	周亚军		1	0	0.0	0.0