Zn沉积时间对低温硫化制备ZnS薄膜性能的影响

• 作者: 张仁刚 张鹏 曹兴忠 杨光 王宝义
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: ZnS薄膜 磁控溅射 Zn沉积时间 低温硫化 光透过率
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 新能源材料与器件专题
• 页码范围: 43-48
• 页数: 6页
• 分类号: O484.4|TN304
• 字数: 4497字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2020.05.006

摘要

采用磁控溅射方法在不同时间下沉积了Zn薄膜,接着先后在200℃和400℃温度下的硫蒸气和氩气氛中进行了低温硫化退火,时间都为1 h,最后得到不同厚度的六方相ZnS薄膜.以XRD、SEM、EDS和紫外可见分光光度计对薄膜进行表征.研究表明:随着Zn沉积时间的增加,硫化制备的ZnS薄膜的晶粒尺寸、光透过率、带隙、S/Zn摩尔比都发生了明显变化,但变化趋势不同.并且,对其低温硫化生长ZnS薄膜的机理进行了讨论.此外,硫化前的抽真空处理可以明显改善ZnS薄膜的质量.所有低温硫化制备的ZnS薄膜在400～1100 nm范围光透过率约为70％,带隙值为3.49～3.57 eV.其中,3 min沉积的Zn在抽真空后低温硫化生长的ZnS薄膜质量最佳.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鹏	中国科学院高能物理研究所	220	1605	21.0	32.0
2	王宝义	中国科学院高能物理研究所	69	258	9.0	12.0
3	曹兴忠	中国科学院高能物理研究所	19	31	3.0	4.0
4	张仁刚	武汉科技大学理学院	8	17	3.0	3.0
5	杨光	武汉科技大学理学院	6	11	2.0	3.0