CaCu3Ti4O12介电陶瓷击穿场强的研究进展

• 作者: 刘玉倩 吝伶艳 宋建成 张建花 李卓晓 雷志鹏
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: CaCu3Ti4O12陶瓷 制备工艺 掺杂改性 击穿场强
• 年，卷（期）: 2020,（10）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 10-15
• 页数: 6页
• 分类号: TM215
• 语种: 中文
• DOI: 10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2020.10.002

摘要

CaCu3Ti4O12(CCTO)新型介电陶瓷以其高介电常数和高频率稳定性等优异性能,在高介电材料研究领域和高介电电容器领域成为关注的热点.然而,目前由于其击穿场强较小,限制了其应用范围.本文综述了最近几年国内外CCTO陶瓷击穿场强的研究进展.首先介绍了常用的CCTO陶瓷制备工艺,其次详细归纳了制备工艺和元素掺杂对其击穿场强的影响,最后总结了CCTO陶瓷击穿场强提高的规律与原因,并将其精炼为3种击穿机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋建成		198	1194	19.0	25.0
2	吝伶艳		31	95	5.0	9.0
3	雷志鹏		20	75	4.0	8.0
4	刘玉倩		1	0	0.0	0.0
5	张建花		2	5	1.0	2.0
6	李卓晓		1	0	0.0	0.0