Mo掺杂Mn4Si7的光电性质的第一性原理计算

• 作者: 冯磊 张晋敏 潘王衡 王立 肖清泉 谢杰 谢泉 贺腾 陈茜
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 Mn4Si7 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 99-104
• 页数: 6页
• 分类号: O734
• 字数: 3897字
• 语种: 中文

摘要

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,计算了Mn4Si7及Mo掺杂Mn4Si7的电子结构和光学性质.计算结果表明Mn4 Si7的禁带宽度Eg=0.804 eV,Mo掺杂Mn4Si7的禁带宽度Eg=0.636 eV.掺杂使得Mn4 Si7费米面附近的电子结构发生改变,导带底由Γ点转移为Y点向低能方向下偏移,价带顶向高能方向上偏移,带隙变窄.计算还表明Mo掺杂Mn4Si7使介电函数、折射率、吸收系数及光电导率等光学性质增加.