高压SOIp LDMOS器件电离辐射总剂量效应研究

• 作者: 乔明 周锌 王卓 马阔
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 总剂量辐射 SOILDMOS 击穿电压 阈值电压
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 58-62
• 页数: 5页
• 分类号: TN303
• 字数: 2480字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0609

摘要

研究了总剂量辐射致使高压SOI pLDMOS器件电学性能的退化,报道了在300 krad(Si)辐射下,高压SOI pLDMOS器件耐压的退化以及阈值电压的负向漂移.通过仿真软件对器件的基础电学特性进行了仿真优化,并且对器件电学性能的退化进行了仿真探究,分析器件性能退化的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	乔明	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	35	178	8.0	12.0
2	王卓	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	22	47	4.0	5.0
3	马阔	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	周锌	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	5	6	1.0	2.0