小型智能程控SiPM电源设计与验证

• 作者: 侯会良 戴志敏 程懋松 黄跃峰
• 来源期刊: 核技术
• 关键词: 硅光电倍增器 增益漂移校正 γ能谱
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 核电子学与仪器
• 页码范围: 82-86
• 页数: 5页
• 字数: 1524字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11889/j.0253-3219.2020.hjs.43.060402

摘要

硅光电倍增器(Silicon Photomultiplier,SiPM)作为一种新型光电转换器件,具有增益高(106量级)、功耗低(工作电流在μA量级)、体积小(mm量级)、工作电压低(小于100 V)等优点,相对于传统光电倍增管不受磁场影响.但SiPM存在增益受温度影响大的缺点,温度每上升10℃增益约下降5×105,对于能谱测量和辐射成像应用会产生较大影响.为此,研发了一款小型带电压补偿功能的SiPM专用高压电源模块,并使用能谱测试系统对SiPM的增益特性进行测试.通过不同温度条件下241Amγ能谱中全能峰峰位的对比,验证了电压补偿对于稳定SiPM增益的效果,从5℃到40℃最大增益漂移由补偿前的87.3％下降到了2.76％.这种增益漂移校正有助于拓宽SiPM的应用范围.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴志敏	中国科学院上海应用物理研究所	34	152	5.0	11.0
2	黄跃峰	中国科学院上海应用物理研究所	14	183	6.0	13.0
3	程懋松	中国科学院上海应用物理研究所	7	10	2.0	3.0
4	侯会良	中国科学院上海应用物理研究所	1	0	0.0	0.0