利用三路脉冲MOCVD技术抑制非极性a面AlGaN外延层缺陷

• 作者: 何佳琦 杨洪权 胡平 范艾杰 赵见国
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN外延层 三路脉冲技术 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 表面形貌 r面蓝宝石衬底
• 年，卷（期）: 2020,（8）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 627-631
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.08.009

摘要

利用三路脉冲金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在半极性r面蓝宝石衬底上成功生长了非极性a面AlGaN外延层.使用高分辨率X射线衍射系统、扫描电子显微镜、原子力显微镜、光致发光测试系统对AlGaN外延层的结构、表面形貌和光学特性进行了测试和表征.结果 表明,与常规三路脉冲MOCVD技术相比,利用新型三路脉冲MOCVD技术生长的非极性a面AlGaN外延层的均方根粗糙度降低了76.9％,且带边激子发光峰的半高宽降低了24.0％.因此,新型三路脉冲MOCVD技术能够有效地抑制生长非极性a面AlGaN外延层所使用的Al源(TMAl)和N源(NH3)前驱体之间的气相寄生反应产生的缺陷,从而显著改善非极性a面AlGaN外延层的表面形貌,同时提高外延层的光学性能和晶体质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡平	陕西工业职业技术学院电气工程学院	15	10	2.0	2.0
2	杨洪权	陕西工业职业技术学院电气工程学院	4	0	0.0	0.0
3	赵见国	东南大学先进光子学中心	1	0	0.0	0.0
4	何佳琦	东南大学先进光子学中心	1	0	0.0	0.0
5	范艾杰	东南大学先进光子学中心	2	0	0.0	0.0