非晶AlBN介质薄膜的制备及相关特性研究

• 作者: 刘峰峰 张永红 李玉雄 蒋春萍 蔡勇 隋展鹏
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: AlBN 脉冲激光沉积 非晶薄膜
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 112-117
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 语种: 中文
• DOI: 10.11868/j.issn.1001-4381.2019.000323

摘要

采用脉冲激光沉积(PLD)技术在GaN(002)上沉积非晶AlBN介质薄膜.利用X射线衍射技术(XRD)、透射电子显微镜(T EM)和X射线光电子能谱(XPS)等技术分别对介质薄膜的晶体结构、成分进行表征,并采用导电原子力显微镜(CAFM)以及I-V等测试手段对不同厚度薄膜的电学性质进行测试.结果表明:不同厚度的AlBN介质薄膜均为非晶,薄膜中B含量约为6.7％(原子分数).厚度为3 nm和18 nm的AlBN介质薄膜的表面粗糙度(Rq)分别为0.209 nm和0.116 nm,薄膜表面平整均匀,18 nm薄膜施加±10 V电压时,没有出现明显的漏电流.但在金属-介质-金属(M IM)结构中,18 nm薄膜结构中出现较大漏电流,漏电流密度在-2 V时约为-2×10-4 A/cm2.