基于遗传算法的SiC MOSFET导通电阻模型

• 作者: 余玮宸 宁圃奇 曹瀚 柴晓光 温旭辉
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si CMOSFET 导通电阻 遗传算法(GA)
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 宽禁带器件应用技术专题
• 页码范围: 38-44
• 页数: 7页
• 分类号: TM571
• 字数: 3729字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2020.4.38

摘要

提出了一种简洁、新颖的SiC MOSFET器件导通电阻模型,该模型采用遗传算法对其不同温度下的导通电阻进行准确描述.相比于传统的导通电阻建模方案,采用进化算法可以准确地得到MOSFET导通电阻与结温之间的关系.并探究了不同种群规模、交叉率和变异率对算法的影响.为了验证模型的准确性,采用一款自主封装的1200 V/90 A SiC MOSFET模块去验证模型的静态特性,并与传统导通电阻建模方案进行对比,其最大误差为4.1％.