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摘要:
为了探索PdO薄膜的光电性质,采用电子束和CVD高温氧化技术在N型Si上生长了PdO薄膜,使用X射线衍射仪(XRD)、 拉曼光谱仪(RAMAN)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的成分和形貌进行表征.研制了PdO/Si异质结光电探测器,并对探测器进行光电性能测试.实验结果表明,探测器具有优异的整流特性,在波长为970 nm的光照下,开关比高达9.8×103,并具有优异的空气稳定性和耐久性.因此当前器件在未来的NIR光电系统中具有巨大的应用潜力.
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文献信息
篇名 基于PdO/Si异质结的近红外光电探测器
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 光电探测器 氧化钯 异质结 近红外
年,卷(期) 2020,(8) 所属期刊栏目 新型传感材料与器件专题
研究方向 页码范围 27-32,63
页数 7页 分类号 TN36
字数 3438字 语种 中文
DOI 10.14106/j.cnki.1001-2028.2020.0358
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 范琦 合肥工业大学电子科学与应用物理学院先进半导体器件与光电集成实验室 2 2 1.0 1.0
2 陈博瀚 合肥工业大学电子科学与应用物理学院先进半导体器件与光电集成实验室 1 0 0.0 0.0
3 左焕涣 合肥工业大学电子科学与应用物理学院先进半导体器件与光电集成实验室 1 0 0.0 0.0
4 吴燕 合肥工业大学电子科学与应用物理学院先进半导体器件与光电集成实验室 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
光电探测器
氧化钯
异质结
近红外
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
出版文献量(篇)
5158
总下载数(次)
16
总被引数(次)
31758
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