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基于氮化镓功率器件的过流保护电路研究
基于氮化镓功率器件的过流保护电路研究
作者:
张雅静
李建国
李艳
王久和
郑琼林
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
高频
氮化镓
增强型
过流保护电路
摘要:
提出了一种适用于高频场合下氮化镓GaN(gallium nitride)功率器件的过流保护电路.该保护电路在高达几百千赫甚至兆赫的开关频率下,通过检测氮化镓功率器件的漏-源电压实现对过流故障的识别,在故障下可迅速关断GaN器件进行保护.仿真和实验结果证明,该过流保护电路具有响应迅速、结构简单和抗干扰性强的优点,可有效提高氮化镓器件应用的可靠性.
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文献信息
篇名
基于氮化镓功率器件的过流保护电路研究
来源期刊
电源学报
学科
工学
关键词
高频
氮化镓
增强型
过流保护电路
年,卷(期)
2020,(4)
所属期刊栏目
宽禁带器件应用技术专题
研究方向
页码范围
53-57
页数
5页
分类号
TM464
字数
1747字
语种
中文
DOI
10.13234/j.issn.2095-2805.2020.4.53
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
郑琼林
北京交通大学电气学院
196
3061
32.0
50.0
2
王久和
北京信息科技大学自动化学院
109
1430
18.0
36.0
3
李艳
北京交通大学电气学院
53
250
9.0
14.0
4
李建国
北京信息科技大学自动化学院
10
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张雅静
北京信息科技大学自动化学院
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节点文献
高频
氮化镓
增强型
过流保护电路
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电源学报
主办单位:
中国电源学会国家海洋技术中心
出版周期:
双月刊
ISSN:
2095-2805
CN:
12-1420/TM
开本:
大16开
出版地:
天津市南开区黄河道467号大通大厦16层
邮发代号:
创刊时间:
2002
语种:
chi
出版文献量(篇)
1407
总下载数(次)
6
总被引数(次)
6404
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