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摘要:
提出了一种适用于高频场合下氮化镓GaN(gallium nitride)功率器件的过流保护电路.该保护电路在高达几百千赫甚至兆赫的开关频率下,通过检测氮化镓功率器件的漏-源电压实现对过流故障的识别,在故障下可迅速关断GaN器件进行保护.仿真和实验结果证明,该过流保护电路具有响应迅速、结构简单和抗干扰性强的优点,可有效提高氮化镓器件应用的可靠性.
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文献信息
篇名 基于氮化镓功率器件的过流保护电路研究
来源期刊 电源学报 学科 工学
关键词 高频 氮化镓 增强型 过流保护电路
年,卷(期) 2020,(4) 所属期刊栏目 宽禁带器件应用技术专题
研究方向 页码范围 53-57
页数 5页 分类号 TM464
字数 1747字 语种 中文
DOI 10.13234/j.issn.2095-2805.2020.4.53
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 郑琼林 北京交通大学电气学院 196 3061 32.0 50.0
2 王久和 北京信息科技大学自动化学院 109 1430 18.0 36.0
3 李艳 北京交通大学电气学院 53 250 9.0 14.0
4 李建国 北京信息科技大学自动化学院 10 0 0.0 0.0
5 张雅静 北京信息科技大学自动化学院 7 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
高频
氮化镓
增强型
过流保护电路
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电源学报
双月刊
2095-2805
12-1420/TM
大16开
天津市南开区黄河道467号大通大厦16层
2002
chi
出版文献量(篇)
1407
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6
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6404
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