一种高性能X波段GaAs开关滤波器芯片

• 作者: 世娟 王胜福
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单刀四掷(SP4T)开关 带通滤波器 开关滤波器 微波单片集成电路(MMIC)
• 年，卷（期）: 2020,（8）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 592-596
• 页数: 5页
• 分类号: TN713
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.08.003

摘要

基于0.25 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款高性能X波段四路开关滤波器微波单片集成电路(MMIC)芯片.芯片内集成了输入和输出单刀四掷(SP4T)开关、驱动器和带通滤波器,实现了开关滤波功能.输入和输出SP4T开关结构相同,各支路都采用串-并联混合形式实现.驱动器集成在片内,由一位低电平(0～0.4 V)或高电平(3.3～5.5 V)信号控制SP4T开关中某一支路的导通或关断.带通滤波器采用分布参数梳状线结构,开路端加载金属-绝缘体-金属(MIM)电容,减小滤波器尺寸的同时拓宽了其阻带带宽.该开关滤波器芯片频率覆盖9.85～12.4 GHz,尺寸为4.5 mm×4.5 mm×0.15 mm.探针在片测试结果表明,开关滤波器芯片4个支路的中心插入损耗均小于6.2dB,通带内回波损耗优于17 dB,典型的带外衰减大于40 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王胜福	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	38	4.0	6.0
2	世娟	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	16	3.0	4.0