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摘要:
制备GaAs基电注入阴极需要在p型GaAs材料上制备周期性分布的金属薄膜电极.实验中,分别采用正性光刻胶AZ5214和负性光刻胶RPN1150作为掩膜层,利用热阻蒸发法和电子束蒸发法在材料表面沉积Ti/Pt/Au薄膜,通过薄膜剥离技术去除多余的金属薄膜,形成基极电极.实验结果表明采用负性光刻胶制备的电极质量更好,正性光刻胶制备的电极边缘粗糙,合理地沉积Ti/Pt/Au薄膜厚度可提高电注入阴极的基极电极质量,从而提升电注入阴极的性能.
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文献信息
篇名 在GaAs基电注入阴极中的Ti/Pt/Au电极制备工艺研究
来源期刊 电子质量 学科 工学
关键词 电注入阴极 光刻胶 Ti/Pt/Au薄膜电极 金属沉积
年,卷(期) 2020,(5) 所属期刊栏目 实验室特写
研究方向 页码范围 128-131
页数 4页 分类号 TN305
字数 1265字 语种 中文
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Ti/Pt/Au薄膜电极
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月刊
1003-0107
44-1038/TN
大16开
广州市五羊新城广兴花园32号一层
46-39
1980
chi
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