预加温处理对双极晶体管过剩基极电流理想因子的影响机制

• 作者: 李兴冀 杨剑群 甄兆丰 董磊
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 双极晶体管 电离辐射 Kovar合金 界面态
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 343-349
• 页数: 7页
• 字数: 5042字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.69.20191151

摘要

基于60Co γ射线辐照源,针对有/无Kovar合金金属帽的横向PNP晶体管(LPNP),探究预加温处理对双极晶体管电离辐射损伤的影响.通过半导体参数测试仪对辐照前后LPNP晶体管电性能参数进行测试.利用深能级瞬态谱分析仪(DLTS),对辐照前后LPNP晶体管电离缺陷进行表征.研究结果表明,未开帽处理的晶体管过剩基极电流(△IB)增加更明显,理想因子n随发射结电压(VEB)的增加逐渐降低,转换电压(Vtr)明显向低发射结电压方向移动,分析认为这是由于基区表面辐射诱导界面态复合率发生变化,界面态数量增多导致n值的变化.DLTS谱证实界面态是导致LPNP晶体管电性能退化的主要原因,未开帽处理的LPNP晶体管中辐照诱导的界面态数量明显增多,这是由于采用Kovar合金制备的金属帽中含有大量的氢,氢的存在会促进界面态的形成.而对于开帽处理的LPNP晶体管,在预处理过程中除去金属帽后器件内氢气逸出,腔内氢气含量降低,因此导致晶体管内部产生的界面态数量减少,使LPNP晶体管电性能退化程度降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董磊	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	14	16	3.0	3.0
2	李兴冀	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	19	54	3.0	7.0
3	杨剑群	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	16	38	2.0	5.0
4	甄兆丰	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0