基于重离子试验数据预测纳米加固静态随机存储器质子单粒子效应敏感性

• 作者: Wojtek Hajdas 张凤祁 罗尹虹 郭红霞
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 双双互锁存储单元加固 单粒子翻转 质子 最劣方位角
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 334-342
• 页数: 9页
• 字数: 6517字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.69.20190878

摘要

为实现对纳米DICE (dual interlocked cell)加固器件抗质子单粒子能力的准确评估,通过对65 nm双DICE加固静态随机存储器(static random access memory,SRAM)重离子单粒子翻转试验数据的分析,获取了其在重离子垂直和倾角入射时的单粒子翻转(single event upset,SEU)阈值以及离子入射最劣方位角,并结合蒙卡仿真获取不同能量质子与器件多层金属布线层发生核反应产生的次级粒子LET(linear energy transfer)值最大值以及角度分布特性,对器件在不同能量下的质子单粒子效应敏感性进行了预测,质子单粒子效应实验结果验证了预测方法的有效性以及预测结果的准确性,并提出针对DICE加固类器件在重离子和质子单粒子效应试验评估中均应开展离子最劣方位角下的倾角入射试验.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗尹虹	西北核技术研究院强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室	54	199	8.0	10.0
2	张凤祁	西北核技术研究院强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室	40	169	8.0	10.0
3	郭红霞	西北核技术研究院强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室	81	385	10.0	13.0