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摘要:
迄今为止,半导体材料的导电类型及很多参数的获得,仍需利用霍尔效应实验.然而,在霍尔效应发生的同时,有很多副效应发生,这使得霍尔效应电压的测量值总与其真实值偏离,导致所测量的各种参数也存在一定的偏差.为了消除副效应的影响,常常采用对称测量法,但对称测量法所测量的数据列仍然存在着对称性破缺.该文从载流子运动状态入手,逐步深入分析得出,对称性破缺产生的根源是电场和磁场的共同作用,并发现磁场对于材料对称性的破坏作用大于电场.该文对于半导体材料性能的深入研究,以及其各种功能的开发利用,具有一定的启发作用.
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文献信息
篇名 霍耳效应实验中的对称性破缺研究
来源期刊 大学物理 学科 物理学
关键词 霍尔效应 对称测量法 对称性破缺
年,卷(期) 2020,(6) 所属期刊栏目 物理实验
研究方向 页码范围 39-43
页数 5页 分类号 O4-33
字数 语种 中文
DOI 10.16854/j.cnki.1000-0712.190344
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研究主题发展历程
节点文献
霍尔效应
对称测量法
对称性破缺
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
大学物理
月刊
1000-0712
11-1910/O4
大16开
北京师范大学院内《大学物理》编辑部
82-320
1982
chi
出版文献量(篇)
4693
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