基于SiGe工艺的X波段多功能芯片设计

• 作者: 万川川 张浩
• 来源期刊: 现代雷达
• 学科: 工学
• 关键词: 多功能芯片 移相器 衰减器 双极互补金属氧化物半导体 相控阵 收发组件
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 雷达系统与技术
• 页码范围: 80-84
• 页数: 5页
• 分类号: TN97
• 字数: 2153字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16592/j.cnki.1004-7859.2020.06.012

摘要

采用锗硅工艺设计了一款X波段多功能芯片,该芯片包括开关、低噪声放大器、驱动放大器、移相器和衰减器等功能电路.传统的微波多功能芯片通常采用砷化镓(GaAs)工艺实现,具有成本高、集成度低等缺点,该设计采用Si基工艺来实现,大大降低了芯片成本,同时提高了集成度.通过采用片内温度补偿、相位补偿和并联峰化等一系列技术,使其达到较好的温度特性、较小的衰减附加相移和宽带特性.测试结果表明:该多功能芯片工作频率8 GHz～12 GHz,均方根相位误差3°,衰减附加相移小于2.5°,接收增益10 dB,发射增益3 dB.芯片包含焊盘的尺寸约为12.6 mm2.在性能和GaAs工艺多功能芯片相当的前提下,面积减小30％以上,成本可以大幅降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	万川川		5	5	1.0	1.0
2	张浩		9	3	1.0	1.0