少层二硫化钼薄膜的制备及其光谱特性

• 作者: 常晓萌 杜凯翔 杨培志 杨德威 马春阳
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 二维材料 二硫化钼(MoS2) 磁控溅射 光谱特性 表面形貌
• 年，卷（期）: 2020,（9）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 713-717,736
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.09.010

摘要

二硫化钼(MoS2)具有与石墨烯类似的层状结构和优异的电学、光学特性,在光电器件和能量存储等领域具有广阔的应用前景.以MoS2靶材和硫粉作为原料,采用磁控溅射结合硫化法制备出少层MoS2薄膜.采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)、拉曼光谱和X射线光电子能谱(XPS)等对样品的形貌、结构与光谱特性进行了表征.结果 表明,制备的MoS2薄膜具有4层结构特征,表面均匀;硫化可提高MoS2薄膜的纯度,获得高品质薄膜,改善其性能,硫化后的MoS2薄膜为2H-MoS2晶体结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨培志	云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室	42	68	5.0	6.0
2	马春阳	云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室	2	0	0.0	0.0
3	杨德威	云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室	3	0	0.0	0.0
4	杜凯翔	云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室	3	0	0.0	0.0
5	常晓萌	云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0