Ag@MoS2/P(VDF-HFP)电介质复合材料的制备及性能研究

• 作者: 李衡峰 杨科 胡思超
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: Ag纳米线 二硫化钼 核壳结构 复合材料 介电性能
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 1-7
• 页数: 7页
• 分类号: TM215
• 语种: 中文
• DOI: 10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2020.05.001

摘要

采用两步水热法制备了高长径比核-壳结构Ag@MoS2纳米线,以P(VDF-HFP)为基体、Ag@MoS2纳米线作为填料,在不同填充量下通过溶液共混和流延法制备了复合材料薄膜.采用SEM、TEM、XRD、XPS等对Ag@MoS2的微观结构、尺寸、化学成分进行表征,并利用SEM和阻抗分析仪对复合材料的微观形貌和介电性能进行表征.结果表明:Ag@MoS2填料在聚合物基体中分散均匀,且两相之间的界面结合效果良好.随着填料含量的增加,复合材料的介电常数逐渐增大,当Ag@MoS2的质量分数为35％时,1 kHz下复合材料的介电常数为67.2,介质损耗因数仅为0.15,且复合材料的介电常数和介质损耗呈现出较弱的频率依赖性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李衡峰		28	128	7.0	10.0
2	杨科		6	14	2.0	3.0
3	胡思超		1	0	0.0	0.0